2dsemiconductors Ta2NiS5 晶體簡介
激子絕緣體是表現(xiàn)出相關電子相的新型材料系統(tǒng)。當激子結合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時，激子會凝聚到其基態(tài)。半導體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發(fā)生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發(fā)生。正交傳導（電子）和價（空穴）帶之間的庫侖引力引起的自發(fā)帶雜化打開帶隙并驅(qū)動系統(tǒng)進入絕緣狀態(tài)
分子式： Ta2NiS5
Ta2NiS5 是一種窄帶隙半導體 (Eg~0.39 eV)，具有可疑的激子絕緣體行為，如在其姊妹化合物TA2NISE5中觀察到的。激子絕緣體是表現(xiàn)出相關電子相的新型材料系統(tǒng)。當激子結合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時，激子會凝聚到其基態(tài)。半導體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發(fā)生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發(fā)生。正交傳導（電子）和價（空穴）帶之間的庫侖引力引起的自發(fā)帶雜化打開帶隙并驅(qū)動系統(tǒng)進入絕緣狀態(tài)
Ta2NiS5 晶體的性質(zhì)
Ta2NiS5晶體的原子結構
Ta2NiS5 晶體的拉曼光譜
